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台积电提供7 nm和5 nm制造工艺,性能得到改善

发布时间:2019-10-07 点击量:
据国外媒体报道,台积电悄然推出了可改善7 nm深紫外线和E-UV 5 nm DUV(N7)制造工艺(N5)性能的版本。
该公司的N7P和N5P技术专为需要7纳米设计,运行速度更快或能耗更低的客户而设计。
新的TSMC N7P工艺使用与N7相同的设计规则来优化前端(FEOL)和中端(MOL)。这使得在相同功率或相同频率下为10%。
尽管据报道台积电在今年在日本举行的VLSI研讨会上首次披露了相关信息,但尚未广泛披露。
N7P使用深紫外光刻(DUV),与N7相比,已进行了测试以降低晶体管密度。
要求晶体管密度在18%到20%以上的台积电客户将使用N7 + N6工艺技术。
其中,N6工艺技术使用紫外线光刻(EUV)分为几层。
此外,台积电的下一个主要节点是N5(5nm),具有更高的密度,更高的功耗和性能。这提供了称为N5P的性能改进版本。
这项技术使用FEOL和MOL优化技术,以相同的功率将芯片的运行速度提高了7%,将相同的频率提高了15%。